中国电子科技集团有限公司（简称中国电科，CETC），是中央直接管理的涉及国家安全和国民经济命脉的国有重要骨干企业。2016年财务绩效评价首次跃居中央企业并列第一，2018年位列世界500强企业第388位。

       中国电子科技集团公司第十三研究所，1956年成立，是我国规模较大、技术力量雄厚、专业结构配套合理的综合性半导体研究所，其专业方向为半导体专业的微电子、光电子、微电子机械系统（MEMS）、半导体高端传感器、光机电集成微系统五大领域和电子封装、材料和计量检测等基础支撑领域。

       十三所拥有国家级专用集成电路重点实验室、国家科技部863计划光电子器件产业化基地和MEMS工艺封装基地、博士后科研工作站以及十个专业部、研究室，生产线和8个控股的高新技术产业公司，其产品涵盖基础支撑类（半导体材料和电子封装等）、芯片类（各类半导体分立器件和集成电路）以及应用类（微波毫米波的模块组件和小整机）。1999年通过了ISO9001质量体系认证，2002年通过ISO9001-2000换版认证，2004年通过GJB9001A－2001认证；2011年通过GJB9001B-2009版标准体系换版审核。

       十三所自建所以来的50多年里，在半导体领域先后创造了54项国内第一，如中国第一只锗合金晶体管、第一只硅超高频晶体管和第一块硅集成电路、第一只砷化镓微波场效应晶体管、第一只长波长半导体激光器、第一块砷化镓集成电路、第一只宽禁带氮化镓功率器件等。先后取得了2958项科研成果,其中59项荣获国家级奖励、491项获部（省）级奖励。

       此次推荐为中国电科集团第十三所研究所精选的两项技术成果，每项成果中包含两项专利：

项目1：太赫兹倍频器（190GHz和216GHz两个频段）

      性能指标：

      ①190 GHz频段倍频器182-195GHz频段内输出功率≥55 mW，倍频效率≥8%；

图1 190GHz二倍频器测试图

      ②216 GHz频段倍频器209-218GHz频段内输出功率≥10 mW，典型输出功率30mW@216GHz；

图2 216GHz二倍频器测试图

       相关辅助技术：二极管模型，电路设计图，倍频器腔体设计，模块装配工艺。

       相关专利：

（1）专利申请号：CN105024646B；

         专利名称：用于太赫兹倍频链的混合集成电路；

         专利简介：本发明公开了一种用于太赫兹倍频链的新型混合集成电路，涉及太赫兹器件技术领域。所述电路包括射频输入波导、第一石英基板、射频输入过度微带线、第一传输微带线、第一低通滤波器、输入匹配微带线、第一GaAs太赫兹倍频二极管、第二传输微带线、第二GaAs太赫兹倍频二极管、输出匹配微带线、第四传输微带线、射频输出过渡微带线、射频输出波导、第三传输微带线、第二低频滤波器、第三低频滤波器、第一金丝跳线、第二金丝跳线、第二石英基板以及第三石英基板。所述混合集成电路可以获得4次倍频、6次倍频和9次倍频输出，且集成度高，小型化程度高，可以获得最大的功率输出，工艺简单。

（2）专利申请号：CN104935254B；

         专利名称：新型F波段三倍频器；

         专利简介：本发明公开了一种新型F波段三倍频器，涉及太赫兹器件技术领域。本发明采用高截止频率GaN基肖特基二极管作为非线性倍频器件，输入输出采用波导微带过度电路形式，输入端基波信号过度到石英电路上接基波低通滤波器，经基波匹配电路后达到GaN基肖特基二极管，产生三次谐波信号，三次谐波经输出端匹配电路后，经微带波导转换达到输出波导端输出。其中基波低通滤波器可以通过基波输入信号，阻止二次谐波和三次谐波信号，输出端采用减高波导，减高波导的设计尺寸要求可以截止基波的二次谐波频率。所述三倍频器的耐受功率高、散热性能好、可靠性更好。

项目2：220GHz谐波混频器

       性能指标：200-220GHz频带内双边带变频损耗≤8.8dB。

图3 220GHz谐波混频器测试图

       相关辅助技术：混频二极管模型，电路设计图，混频模块腔体设计，模块装配工艺。

       相关专利：

（1）专利申请号：CN104158495B；

         专利名称：用于太赫兹混频器的新型混合；

         专利简介：本发明公开了一种用于太赫兹混频器的新型混合集成电路，涉及电通信的传输装置技术领域。包括石英基板电路、GaAs基板电路、射频波导以及本振波导，GaAs基板电路包括GaAs基板和位于GaAs基板内的GaAs太赫兹肖特基二极管，所述GaAs太赫兹肖特基二极管的正面朝上，GaAs太赫兹肖特基二极管焊盘两端分别集成一段GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线，GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线分别与两侧的石英基板电路电连接。所述集成电路降低了器件微组装的工艺难度，与目前常用的混合集成电路形式相比，二极管的组装精度提高，可以降低混频器的变频损耗，使得混频器的测试结果更加接近设计结果。

（2）专利申请号：CN104268355B；

         专利名称：GaAs基混频肖特基二极管毫米波及太赫兹频段建模方法；

         专利简介：本发明公开了一种GaAs基混频肖特基二极管毫米波及太赫兹频段建模方法，涉及二极管建模技术领域。利用基于测量的经验公式描述混频肖特基二极管结的非线性结特性，即利用热电子发射模型对二极管结进行公式描述；通过建立GaAs基混频肖特基二极管的三维电磁模型，利用商用高频结构仿真软件HFSS获得寄生参量在毫米波及太赫兹频段的S参数；最终在电路仿真软件例如ADS中建立GaAs基混频肖特基二极管对应的电路级模型；通过将建立的模型和实际封装测试的二极管S参数进行对比，然后修正其中的二极管结的经验公式，最终获得GaAs基混频肖特基二极管在毫米波及太赫兹频段的精准模型。

       此批技术成果转让，价格面议。

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